Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN/PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
65 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Duální tranzistory NPN/PNP, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
200
P.O.A.
Štandardný
200
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN/PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
65 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku