Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
NPN
Kollektor-Emitter-
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Minimální proudový zisk DC
70
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Typický odporový poměr
0.47
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Typický vstupní rezistor
22 k Ω
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
NPN
Kollektor-Emitter-
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Minimální proudový zisk DC
70
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Typický odporový poměr
0.47
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Typický vstupní rezistor
22 k Ω