Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
2000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Höhe
1.5mm
Breite
2.5mm
Maximální ztrátový výkon
1 W
Abmessungen
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
4.5mm
Bázový proud
100mA
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
2000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Höhe
1.5mm
Breite
2.5mm
Maximální ztrátový výkon
1 W
Abmessungen
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
4.5mm
Bázový proud
100mA
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku