Bipolární tranzistor RF BFP720H6327XTSA1 NPN 25 mA 13 V, SOT-343, počet kolíků: 4 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
25 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
13 V
Gehäusegröße
SOT-343
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
13 V
Maximální bázové napětí emitoru
1.2 V
Počet kolíků
4
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Bipolární tranzistory SiGe RF Infineon
Řada extrémně nízkých šumových wideband NPN bipolární RF tranzistorů od Infineon. Tato heterogenní bipolární zařízení využívají Infineon křemíkovou germanium uhlíkovou (SiGe:C) technologii a jsou zvláště vhodná pro mobilní aplikace, kde je klíčovým požadavkem nízká spotřeba energie. S typickými přechodovými frekvencemi až 65 GHz nabízejí tato zařízení vysoký nárůst výkonu při frekvencích až 10 GHz při použití v aplikacích zesilovačů. Tranzistor obsahuje vnitřní obvody pro ESD a ochranu před nadměrným příkonem RF.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2,78
€ 0,185 Each (In a Pack of 15) (bez DPH)
Štandardný
15
€ 2,78
€ 0,185 Each (In a Pack of 15) (bez DPH)
Štandardný
15
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
25 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
13 V
Gehäusegröße
SOT-343
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
13 V
Maximální bázové napětí emitoru
1.2 V
Počet kolíků
4
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Bipolární tranzistory SiGe RF Infineon
Řada extrémně nízkých šumových wideband NPN bipolární RF tranzistorů od Infineon. Tato heterogenní bipolární zařízení využívají Infineon křemíkovou germanium uhlíkovou (SiGe:C) technologii a jsou zvláště vhodná pro mobilní aplikace, kde je klíčovým požadavkem nízká spotřeba energie. S typickými přechodovými frekvencemi až 65 GHz nabízejí tato zařízení vysoký nárůst výkonu při frekvencích až 10 GHz při použití v aplikacích zesilovačů. Tranzistor obsahuje vnitřní obvody pro ESD a ochranu před nadměrným příkonem RF.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products