Bipolární tranzistor BFP840ESDH6327XTSA1 NPN 35 mA 2,25 V, SOT-343, počet kolíků: 4 80 GHz Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
35 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
2.25 V
Gehäusegröße
SOT-343
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
75 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
2.9 V
Maximální provozní frekvence
80 GHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Bipolární tranzistory SiGe RF Infineon
Řada extrémně nízkých šumových wideband NPN bipolární RF tranzistorů od Infineon. Tato heterogenní bipolární zařízení využívají Infineon křemíkovou germanium uhlíkovou (SiGe:C) technologii a jsou zvláště vhodná pro mobilní aplikace, kde je klíčovým požadavkem nízká spotřeba energie. S typickými přechodovými frekvencemi až 65 GHz nabízejí tato zařízení vysoký nárůst výkonu při frekvencích až 10 GHz při použití v aplikacích zesilovačů. Tranzistor obsahuje vnitřní obvody pro ESD a ochranu před nadměrným příkonem RF.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
35 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
2.25 V
Gehäusegröße
SOT-343
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
75 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
2.9 V
Maximální provozní frekvence
80 GHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Bipolární tranzistory SiGe RF Infineon
Řada extrémně nízkých šumových wideband NPN bipolární RF tranzistorů od Infineon. Tato heterogenní bipolární zařízení využívají Infineon křemíkovou germanium uhlíkovou (SiGe:C) technologii a jsou zvláště vhodná pro mobilní aplikace, kde je klíčovým požadavkem nízká spotřeba energie. S typickými přechodovými frekvencemi až 65 GHz nabízejí tato zařízení vysoký nárůst výkonu při frekvencích až 10 GHz při použití v aplikacích zesilovačů. Tranzistor obsahuje vnitřní obvody pro ESD a ochranu před nadměrným příkonem RF.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products