Bipolární tranzistor RF BFR181E6327HTSA1 NPN 20 mA 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 752-8136PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: BFR181E6327HTSA1
brand-logo

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ tranzistoru

NPN

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

20 mA

Maximální napětí emitoru/kolektoru

12 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální ztrátový výkon

175 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální bázové napětí kolektoru

20 V

Maximální bázové napětí emitoru

2 V

Pinanzahl

3

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Abmessungen

2.9 x 1.3 x 0.9mm

Podrobnosti o výrobku

Bipolární vysokofrekvenční tranzistory, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

Bipolární tranzistor RF BFR181E6327HTSA1 NPN 20 mA 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

Bipolární tranzistor RF BFR181E6327HTSA1 NPN 20 mA 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ tranzistoru

NPN

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

20 mA

Maximální napětí emitoru/kolektoru

12 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální ztrátový výkon

175 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální bázové napětí kolektoru

20 V

Maximální bázové napětí emitoru

2 V

Pinanzahl

3

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Abmessungen

2.9 x 1.3 x 0.9mm

Podrobnosti o výrobku

Bipolární vysokofrekvenční tranzistory, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more