Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
80 mA
Kollektor-Emitter-
12 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
580 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
8 GHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Bipolární vysokofrekvenční tranzistory, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,05
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 0,05
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
80 mA
Kollektor-Emitter-
12 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
580 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
8 GHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku