Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
35 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
12 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
15 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
6000 MHz
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Bipolární vysokofrekvenční tranzistory, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
35 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
12 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
15 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
6000 MHz
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku