Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
25 mA
Kollektor-Emitter-
15 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
25 V
Maximální bázové napětí emitoru
2.5 V
Maximální provozní frekvence
2.5 GHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Bipolární vysokofrekvenční tranzistory, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
25 mA
Kollektor-Emitter-
15 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
25 V
Maximální bázové napětí emitoru
2.5 V
Maximální provozní frekvence
2.5 GHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku