Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální napětí emitoru/kolektoru
12 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
175 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Bipolární vysokofrekvenční tranzistory, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální napětí emitoru/kolektoru
12 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
175 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Podrobnosti o výrobku