Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
137 A.
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TDSON
Řada
OptiMOS™ 5
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 19,37
€ 1,937 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 19,37
€ 1,937 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,937 | € 19,37 |
50 - 90 | € 1,841 | € 18,41 |
100 - 240 | € 1,763 | € 17,63 |
250 - 490 | € 1,685 | € 16,85 |
500+ | € 1,569 | € 15,69 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
137 A.
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TDSON
Řada
OptiMOS™ 5
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.