DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: OptiMOS 3MOSFET BSC100N06LS3GATMA1 N-kanálový 50 A 60 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 911-0771Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: BSC100N06LS3GATMA1
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

50 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

17,9 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

50 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

5.35mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

34 nC při 10 V

Breite

6.1mm

Počet prvků na čip

1

Höhe

1.1mm

Řada

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 60 až 80 V.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,46

Each (On a Reel of 5000) (bez DPH)

řada: OptiMOS 3MOSFET BSC100N06LS3GATMA1 N-kanálový 50 A 60 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý

€ 0,46

Each (On a Reel of 5000) (bez DPH)

řada: OptiMOS 3MOSFET BSC100N06LS3GATMA1 N-kanálový 50 A 60 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

50 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

17,9 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

50 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

5.35mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

34 nC při 10 V

Breite

6.1mm

Počet prvků na čip

1

Höhe

1.1mm

Řada

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 60 až 80 V.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more