řada: OptiMOS™ 3MOSFET BSC160N10NS3GATMA1 N-kanálový 42 A 100 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 825-9250Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: BSC160N10NS3GATMA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

42 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

33 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

60 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5.35mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

19 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 7,95

€ 0,795 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 3MOSFET BSC160N10NS3GATMA1 N-kanálový 42 A 100 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 10.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 10.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 7,95
20€ 15,90
30€ 23,85
40€ 31,80
50€ 39,75
60€ 47,70
70€ 55,65
80€ 63,60
90€ 71,55
100€ 79,50
110€ 87,45
120€ 95,40
130€ 103,35
140€ 111,30
150€ 119,25

€ 7,95

€ 0,795 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 3MOSFET BSC160N10NS3GATMA1 N-kanálový 42 A 100 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 10.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 10.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 7,95
20€ 15,90
30€ 23,85
40€ 31,80
50€ 39,75
60€ 47,70
70€ 55,65
80€ 63,60
90€ 71,55
100€ 79,50
110€ 87,45
120€ 95,40
130€ 103,35
140€ 111,30
150€ 119,25

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

42 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

33 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

60 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5.35mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

19 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more