řada: OptiMOS 2MOSFET BSC196N10NSGATMA1 N-kanálový 45 A 100 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
45 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TDSON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16,7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
78 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.35mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Řada
OptiMOS 2
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2
Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
45 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TDSON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16,7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
78 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.35mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Řada
OptiMOS 2
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2
Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products