řada: SIPMOS®MOSFET BSP129H6327XTSA1 N-kanálový 350 mA 240 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Vyčerpání Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
350 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
240 V
Gehäusegröße
SOT223
Řada
SIPMOS®
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,8 nC při 5 V
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2,42
€ 0,484 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 2,42
€ 0,484 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,484 | € 2,42 |
| 50 - 120 | € 0,434 | € 2,17 |
| 125 - 245 | € 0,40 | € 2,00 |
| 250 - 495 | € 0,372 | € 1,86 |
| 500+ | € 0,35 | € 1,75 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
350 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
240 V
Gehäusegröße
SOT223
Řada
SIPMOS®
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,8 nC při 5 V
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products