Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: SIPMOS®Tranzistor MOSFET BSP171PH6327XTSA1 P-kanálový 1,9 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3

Skladové číslo RS: 911-4791Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: BSP171PH6327XTSA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

SIPMOS®

Gehäusegröße

SOT223

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

300 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.8 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

3.5mm

Počet prvků na čip

1

Länge

6.5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

13 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.

· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 290,40

€ 0,29 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: SIPMOS®Tranzistor MOSFET BSP171PH6327XTSA1 P-kanálový 1,9 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3

€ 290,40

€ 0,29 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: SIPMOS®Tranzistor MOSFET BSP171PH6327XTSA1 P-kanálový 1,9 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaCievka
1000 - 1000€ 0,29€ 290,40
2000 - 2000€ 0,276€ 275,88
3000+€ 0,258€ 258,46

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

SIPMOS®

Gehäusegröße

SOT223

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

300 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.8 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

3.5mm

Počet prvků na čip

1

Länge

6.5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

13 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.

· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more