řada: SIPMOS®MOSFET BSP295H6327XTSA1 N-kanálový 1.8 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
SIPMOS®
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Breite
3.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,684
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 0,684
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 0,684 | € 3,42 |
| 125 - 245 | € 0,638 | € 3,19 |
| 250 - 495 | € 0,59 | € 2,95 |
| 500+ | € 0,544 | € 2,72 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
SIPMOS®
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Breite
3.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products