řada: SIPMOS®MOSFET BSP324H6327XTSA1 N-kanálový 170 mA 400 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Řada
SIPMOS®
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
25 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,54 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.5mm
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 27,06
€ 0,541 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 27,06
€ 0,541 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Řada
SIPMOS®
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
25 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,54 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.5mm
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

