Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
2000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
2.2 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.8 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Bázový proud
100mA
Höhe
1.6mm
Breite
3.5mm
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Abmessungen
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
2000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
2.2 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.8 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Bázový proud
100mA
Höhe
1.6mm
Breite
3.5mm
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Abmessungen
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku