Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 10 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
OptiMOS
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,12
Each (On a Reel of 250) (bez DPH)
250
€ 0,12
Each (On a Reel of 250) (bez DPH)
250
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
250 - 250 | € 0,12 | € 30,00 |
500 - 1000 | € 0,11 | € 27,50 |
1250 - 2250 | € 0,10 | € 25,00 |
2500 - 6000 | € 0,10 | € 25,00 |
6250+ | € 0,09 | € 22,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 10 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
OptiMOS
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.