řada: SIPMOS®MOSFET BSS126H6327XTSA2 N-kanálový 21 mA 600 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Vyčerpání Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
21 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
SIPMOS®
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
700 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,4 nC při 5 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 40,15
€ 0,321 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
125
€ 40,15
€ 0,321 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
125
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 125 - 225 | € 0,321 | € 8,03 |
| 250 - 600 | € 0,308 | € 7,70 |
| 625 - 1225 | € 0,288 | € 7,19 |
| 1250+ | € 0,271 | € 6,77 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
21 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
SIPMOS®
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
700 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,4 nC při 5 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products