řada: SIPMOS®MOSFET BSS127H6327XTSA2 N-kanálový 21 mA 600 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
21 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
SIPMOS®
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,65 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
1.3mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 279,58
€ 0,093 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 279,58
€ 0,093 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,093 | € 279,58 |
| 6000 - 12000 | € 0,089 | € 265,61 |
| 15000+ | € 0,083 | € 248,83 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
21 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
SIPMOS®
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,65 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
1.3mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products