Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1 nC při 10 V
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
0.8mm
Řada
SIPMOS
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
500
P.O.A.
500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1 nC při 10 V
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
0.8mm
Řada
SIPMOS
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.