DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: OptiMOS PMOSFET BSS223PWH6327XTSA1 P-kanálový 310 mA 20 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 826-9991Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: BSS223PWH6327XTSA1
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

310 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-323

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2.1 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.6V

Maximální ztrátový výkon

250 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,5 nC při 4,5 V

Breite

1.25mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

OptiMOS P

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.8mm

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,09

Each (On a Reel of 500) (bez DPH)

řada: OptiMOS PMOSFET BSS223PWH6327XTSA1 P-kanálový 310 mA 20 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 0,09

Each (On a Reel of 500) (bez DPH)

řada: OptiMOS PMOSFET BSS223PWH6327XTSA1 P-kanálový 310 mA 20 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaCievka
500 - 500€ 0,09€ 45,00
1000 - 2000€ 0,09€ 45,00
2500 - 4500€ 0,08€ 40,00
5000 - 12000€ 0,08€ 40,00
12500+€ 0,07€ 35,00

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

310 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-323

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2.1 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.6V

Maximální ztrátový výkon

250 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,5 nC při 4,5 V

Breite

1.25mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

OptiMOS P

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.8mm

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more