řada: OptiMOS™ 2MOSFET BSS806NEH6327XTSA1 N-kanálový 2,3 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 827-0109Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: BSS806NEH6327XTSA1Distrelec Article No.: 30341198
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2,3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Řada

OptiMOS™ 2

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

82 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

0.75V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.3V

Maximální ztrátový výkon

500 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

1.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

2.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,7 nC při 2,5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2

Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 24,41

€ 0,098 Each (On a Reel of 250) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 2MOSFET BSS806NEH6327XTSA1 N-kanálový 2,3 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 24,41

€ 0,098 Each (On a Reel of 250) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 2MOSFET BSS806NEH6327XTSA1 N-kanálový 2,3 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
250 - 250€ 0,098€ 24,41
500 - 1000€ 0,066€ 16,60
1250 - 2250€ 0,062€ 15,62
2500 - 6000€ 0,059€ 14,65
6250+€ 0,054€ 13,43

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2,3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Řada

OptiMOS™ 2

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

82 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

0.75V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.3V

Maximální ztrátový výkon

500 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

1.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

2.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,7 nC při 2,5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2

Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more