Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
OptiMOS™ 2
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
82 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.75V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,7 nC při 2,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2
Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 36,34
€ 0,145 Each (On a Reel of 250) (bez DPH)
250
€ 36,34
€ 0,145 Each (On a Reel of 250) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
250
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 250 - 250 | € 0,145 | € 36,34 |
| 500 - 1000 | € 0,081 | € 20,35 |
| 1250 - 2250 | € 0,076 | € 18,90 |
| 2500 - 6000 | € 0,071 | € 17,81 |
| 6250+ | € 0,065 | € 16,35 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
OptiMOS™ 2
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
82 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.75V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,7 nC při 2,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2
Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


