Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
SIPMOS®
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
SIPMOS®
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China