Vývojová sada pro paměti, klasifikace: Arduino Shield, Feroelektrická paměť RAM (FRAM)
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonNázev produktu
Sériová F-RAM
Klasifikace sady
Arduino Shield
Číslo dílu procesoru
CY15FRAMKIT-001
Podrobnosti o výrobku
CY15FRAMKIT-001 Rozvojová sada F-RAM (kompatibilní s formátem Arduino-Compatible)
CY15FRAMSADY-001 je vývojová sada F-RAM (Ferroelectric RAM) pro vysoce výkonná, vysoce spolehlivá a energeticky úsporná sériová zařízení F-RAM.
Souprava CY15FRAMSADY-001 byla navržena tak, aby fungovala s deskou Arduino UNO R3 se stohovatelnými konektory.
Kompatibilní se soupravou CY8CKIT-042, CY8CKIT-042-BLE a CY8CKIT-040
256 kbit SPI F-RAM a 256 kbit I²C F-RAM
Napájení při 3,3 V nebo 5,0 V.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
€ 31,59
€ 31,59 Each (bez DPH)
1
€ 31,59
€ 31,59 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonNázev produktu
Sériová F-RAM
Klasifikace sady
Arduino Shield
Číslo dílu procesoru
CY15FRAMKIT-001
Podrobnosti o výrobku
CY15FRAMKIT-001 Rozvojová sada F-RAM (kompatibilní s formátem Arduino-Compatible)
CY15FRAMSADY-001 je vývojová sada F-RAM (Ferroelectric RAM) pro vysoce výkonná, vysoce spolehlivá a energeticky úsporná sériová zařízení F-RAM.
Souprava CY15FRAMSADY-001 byla navržena tak, aby fungovala s deskou Arduino UNO R3 se stohovatelnými konektory.
Kompatibilní se soupravou CY8CKIT-042, CY8CKIT-042-BLE a CY8CKIT-040
256 kbit SPI F-RAM a 256 kbit I²C F-RAM
Napájení při 3,3 V nebo 5,0 V.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.