Vývojová sada pro paměti, klasifikace: Arduino Shield, Feroelektrická paměť RAM (FRAM)
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonNázev produktu
Sériová F-RAM
Klasifikace sady
Arduino Shield
Číslo dílu procesoru
CY15FRAMKIT-001
Podrobnosti o výrobku
CY15FRAMKIT-001 Rozvojová sada F-RAM (kompatibilní s formátem Arduino-Compatible)
CY15FRAMSADY-001 je vývojová sada F-RAM (Ferroelectric RAM) pro vysoce výkonná, vysoce spolehlivá a energeticky úsporná sériová zařízení F-RAM.
Souprava CY15FRAMSADY-001 byla navržena tak, aby fungovala s deskou Arduino UNO R3 se stohovatelnými konektory.
Kompatibilní se soupravou CY8CKIT-042, CY8CKIT-042-BLE a CY8CKIT-040
256 kbit SPI F-RAM a 256 kbit I²C F-RAM
Napájení při 3,3 V nebo 5,0 V.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 30,67
Each (bez DPH)
1
€ 30,67
Each (bez DPH)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonNázev produktu
Sériová F-RAM
Klasifikace sady
Arduino Shield
Číslo dílu procesoru
CY15FRAMKIT-001
Podrobnosti o výrobku
CY15FRAMKIT-001 Rozvojová sada F-RAM (kompatibilní s formátem Arduino-Compatible)
CY15FRAMSADY-001 je vývojová sada F-RAM (Ferroelectric RAM) pro vysoce výkonná, vysoce spolehlivá a energeticky úsporná sériová zařízení F-RAM.
Souprava CY15FRAMSADY-001 byla navržena tak, aby fungovala s deskou Arduino UNO R3 se stohovatelnými konektory.
Kompatibilní se soupravou CY8CKIT-042, CY8CKIT-042-BLE a CY8CKIT-040
256 kbit SPI F-RAM a 256 kbit I²C F-RAM
Napájení při 3,3 V nebo 5,0 V.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.