Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
95 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Gehäusegröße
EASY2B
Konfiguration
Series
Montage-Typ
PCB Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
27
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
56.7 x 48 x 12mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Infineon
Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.
Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 53,34
Each (bez DPH)
1
€ 53,34
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 1 | € 53,34 |
2 - 4 | € 50,67 |
5 - 9 | € 48,53 |
10 - 24 | € 46,40 |
25+ | € 43,20 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
95 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Gehäusegröße
EASY2B
Konfiguration
Series
Montage-Typ
PCB Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
27
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
56.7 x 48 x 12mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Infineon
Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.
Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.