Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
Dual N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.2 kA
Maximální napětí kolektor/zdroj
1700 V
Řada
XHP
Gehäusegröße
Zásuvka
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Režim kanálu
Vyčerpání
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
SiC
Krajina pôvodu
Germany
P.O.A.
řada: XHPMOSFET FF1200XTR17T2P5BPSA1 Dual N-kanálový 1,2 kA 1700 V, Zásuvka Vyčerpání dvojitý SiC
1
P.O.A.
řada: XHPMOSFET FF1200XTR17T2P5BPSA1 Dual N-kanálový 1,2 kA 1700 V, Zásuvka Vyčerpání dvojitý SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
Dual N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.2 kA
Maximální napětí kolektor/zdroj
1700 V
Řada
XHP
Gehäusegröße
Zásuvka
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Režim kanálu
Vyčerpání
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
SiC
Krajina pôvodu
Germany