standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM18W08-SG, Paralelní, 256kbit 32K x 8 bitůů 70ns 2,7 V až 5,5 V, počet kolíků: 28 -40 °C
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
256kbit
Organizace
32k x 8 bitů
Typ rozhraní
Parallel
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
70ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
28
Abmessungen
18.11 x 7.62 x 2.37mm
Länge
18.11mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Breite
7.62mm
Höhe
2.37mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Automobilový standard
AEC-Q100
Počet slov
32K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Počet bitů na slovo
8bit
Podrobnosti o výrobku
F-RAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 11,33
Each (bez DPH)
1
€ 11,33
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 11,33 |
| 10 - 49 | € 9,34 |
| 50 - 99 | € 9,09 |
| 100 - 499 | € 8,86 |
| 500+ | € 8,63 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
256kbit
Organizace
32k x 8 bitů
Typ rozhraní
Parallel
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
70ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
28
Abmessungen
18.11 x 7.62 x 2.37mm
Länge
18.11mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Breite
7.62mm
Höhe
2.37mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Automobilový standard
AEC-Q100
Počet slov
32K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Počet bitů na slovo
8bit
Podrobnosti o výrobku
F-RAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products