DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM24C64B-G, Sériové - 2drátové, sériové - I2C, 64kbit 8K x 8 bitůů 550ns 4,5 V až 5,5 V,

Skladové číslo RS: 125-4209Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: FM24C64B-G
brand-logo
View all in Paměť FRAM

Technické dokumenty

Špecifikácie

Velikost paměti

64kbit

Organizace

8K x 8 bitů

Typ rozhraní

Sériové - 2drátové, sériové - I2C

Šířka datové sběrnice

8bit

Maximální čas náhodného přístupu

550ns

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Länge

4.97mm

Maximální provozní napájecí napětí

5.5 V

Breite

3.98mm

Höhe

1.48mm

Betriebstemperatur max.

85 °C

Počet bitů na slovo

8bit

Automobilový standard

AEC-Q100

Počet slov

8K

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Minimální provozní napájecí napětí

4.5 V

Podrobnosti o výrobku

F-RAM, Cypress Semiconductor

Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.

Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 3,79

Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM24C64B-G, Sériové - 2drátové, sériové - I2C, 64kbit 8K x 8 bitůů 550ns 4,5 V až 5,5 V,
Vyberte typ balenia

€ 3,79

Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM24C64B-G, Sériové - 2drátové, sériové - I2C, 64kbit 8K x 8 bitůů 550ns 4,5 V až 5,5 V,
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
2 - 8€ 3,79€ 7,58
10 - 48€ 2,94€ 5,88
50 - 98€ 2,85€ 5,70
100 - 498€ 2,61€ 5,22
500+€ 2,54€ 5,08

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Velikost paměti

64kbit

Organizace

8K x 8 bitů

Typ rozhraní

Sériové - 2drátové, sériové - I2C

Šířka datové sběrnice

8bit

Maximální čas náhodného přístupu

550ns

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Länge

4.97mm

Maximální provozní napájecí napětí

5.5 V

Breite

3.98mm

Höhe

1.48mm

Betriebstemperatur max.

85 °C

Počet bitů na slovo

8bit

Automobilový standard

AEC-Q100

Počet slov

8K

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Minimální provozní napájecí napětí

4.5 V

Podrobnosti o výrobku

F-RAM, Cypress Semiconductor

Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.

Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more