Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
16kbit
Organizace
2k x 8 bitů
Typ rozhraní
Sériové - 2drátové, sériové - I2C
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
3000ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge
4.97mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.65 V
Breite
3.98mm
Höhe
1.48mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Počet bitů na slovo
8bit
Automobilový standard
AEC-Q100
Počet slov
2K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Podrobnosti o výrobku
F-RAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,65
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,65
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 10 | € 1,65 | € 8,25 |
15 - 25 | € 1,46 | € 7,30 |
30 - 95 | € 1,41 | € 7,05 |
100 - 495 | € 1,25 | € 6,25 |
500+ | € 1,22 | € 6,10 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
16kbit
Organizace
2k x 8 bitů
Typ rozhraní
Sériové - 2drátové, sériové - I2C
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
3000ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge
4.97mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.65 V
Breite
3.98mm
Höhe
1.48mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Počet bitů na slovo
8bit
Automobilový standard
AEC-Q100
Počet slov
2K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Podrobnosti o výrobku
F-RAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.