Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
4kbit
Organizace
512 x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
20ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Počet kolíků
8
Abmessungen
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge
4.97mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Breite
3.98mm
Höhe
1.48mm
Betriebstemperatur max.
+85 °C
Automobilový standard
AEC-Q100
Počet slov
512
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
4.5 V
Počet bitů na slovo
8bit
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
€ 24,99
€ 1,666 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
15
€ 24,99
€ 1,666 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
15
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
15 - 25 | € 1,666 | € 8,33 |
30 - 95 | € 1,614 | € 8,07 |
100 - 495 | € 1,528 | € 7,64 |
500+ | € 1,424 | € 7,12 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
4kbit
Organizace
512 x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
20ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Počet kolíků
8
Abmessungen
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge
4.97mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Breite
3.98mm
Höhe
1.48mm
Betriebstemperatur max.
+85 °C
Automobilový standard
AEC-Q100
Počet slov
512
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
4.5 V
Počet bitů na slovo
8bit
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.