Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
64kbit
Organizace
8K x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
20ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DFN
Pinanzahl
8
Abmessungen
4 x 4.5 x 0.7mm
Länge
4.5mm
Breite
4mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.65 V
Höhe
0.7mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Počet slov
8K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Počet bitů na slovo
8bit
Automobilový standard
AEC-Q100
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
€ 6,45
€ 3,225 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 6,45
€ 3,225 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 8 | € 3,225 | € 6,45 |
10 - 48 | € 2,795 | € 5,59 |
50 - 98 | € 2,715 | € 5,43 |
100 - 498 | € 2,43 | € 4,86 |
500+ | € 2,325 | € 4,65 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
64kbit
Organizace
8K x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
20ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DFN
Pinanzahl
8
Abmessungen
4 x 4.5 x 0.7mm
Länge
4.5mm
Breite
4mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.65 V
Höhe
0.7mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Počet slov
8K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Počet bitů na slovo
8bit
Automobilový standard
AEC-Q100
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.