Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
128kbit
Organizace
16K x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
16ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Länge
4.97mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Breite
3.98mm
Höhe
1.47mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Počet slov
16k
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2 V
Počet bitů na slovo
8bit
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
€ 7,96
€ 3,98 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 7,96
€ 3,98 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
128kbit
Organizace
16K x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
16ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Länge
4.97mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Breite
3.98mm
Höhe
1.47mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Počet slov
16k
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2 V
Počet bitů na slovo
8bit
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.