DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM25W256-G, SPI, 256kbit 32K x 8 bitůů 20ns 2,7 V až 5,5 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85

Skladové číslo RS: 125-4228Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: FM25W256-G
brand-logo
View all in Paměť FRAM

Technické dokumenty

Špecifikácie

Velikost paměti

256kbit

Organizace

32k x 8 bitů

Typ rozhraní

SPI

Šířka datové sběrnice

8bit

Maximální čas náhodného přístupu

20ns

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Länge

4.97mm

Breite

3.98mm

Maximální provozní napájecí napětí

5.5 V

Höhe

1.48mm

Betriebstemperatur max.

85 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Minimální provozní napájecí napětí

2,7 V

Počet slov

32K

Počet bitů na slovo

8bit

Automobilový standard

AEC-Q100

Podrobnosti o výrobku

F-RAM, Cypress Semiconductor

Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.

Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 8,49

Each (bez DPH)

standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM25W256-G, SPI, 256kbit 32K x 8 bitůů 20ns 2,7 V až 5,5 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85
Vyberte typ balenia

€ 8,49

Each (bez DPH)

standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM25W256-G, SPI, 256kbit 32K x 8 bitůů 20ns 2,7 V až 5,5 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cena
1 - 9€ 8,49
10 - 49€ 6,38
50 - 99€ 6,24
100 - 499€ 6,03
500+€ 5,91

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Velikost paměti

256kbit

Organizace

32k x 8 bitů

Typ rozhraní

SPI

Šířka datové sběrnice

8bit

Maximální čas náhodného přístupu

20ns

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Länge

4.97mm

Breite

3.98mm

Maximální provozní napájecí napětí

5.5 V

Höhe

1.48mm

Betriebstemperatur max.

85 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Minimální provozní napájecí napětí

2,7 V

Počet slov

32K

Počet bitů na slovo

8bit

Automobilový standard

AEC-Q100

Podrobnosti o výrobku

F-RAM, Cypress Semiconductor

Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.

Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more