IGBT modul FS30R06W1E3B11BOMA1 N-kanálový 45 A 600 V, EASY1B, počet kolíků: 22 1MHz 3fázový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
45 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Gehäusegröße
EASY1B
Konfiguration
Common Collector
Montage-Typ
PCB Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
22
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
3 Phase
Abmessungen
48 x 33.8 x 12mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Infineon
Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.
Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 21,31
Each (bez DPH)
1
€ 21,31
Each (bez DPH)
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
45 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Gehäusegröße
EASY1B
Konfiguration
Common Collector
Montage-Typ
PCB Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
22
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
3 Phase
Abmessungen
48 x 33.8 x 12mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Infineon
Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.
Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products