IGBT modul FZ400R12KE3B1HOSA1 N-kanálový 650 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 5 1MHz Jednoduchý

Skladové číslo RS: 838-6908Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: FZ400R12KE3B1HOSA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

650 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

2,25 kW

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

Modul 62MM

Montage-Typ

Panel Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

5

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

106.4 x 61.4 x 36.5mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly, Infineon

Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 138,46

Each (bez DPH)

IGBT modul FZ400R12KE3B1HOSA1 N-kanálový 650 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 5 1MHz Jednoduchý

€ 138,46

Each (bez DPH)

IGBT modul FZ400R12KE3B1HOSA1 N-kanálový 650 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 5 1MHz Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cena
1 - 1€ 138,46
2 - 4€ 135,69
5+€ 131,53

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

650 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

2,25 kW

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

Modul 62MM

Montage-Typ

Panel Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

5

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

106.4 x 61.4 x 36.5mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly, Infineon

Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more