Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
650 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
2,25 kW
Konfiguration
Single
Gehäusegröße
Modul 62MM
Montage-Typ
Panel Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
5
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
106.4 x 61.4 x 36.5mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Infineon
Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.
Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 138,46
Each (bez DPH)
1
€ 138,46
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 1 | € 138,46 |
2 - 4 | € 135,69 |
5+ | € 131,53 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
650 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
2,25 kW
Konfiguration
Single
Gehäusegröße
Modul 62MM
Montage-Typ
Panel Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
5
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
106.4 x 61.4 x 36.5mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Infineon
Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.
Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.