Dioda IDH02G120C5XKSA1 11.8A 1200V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 + Tab 2.3V Schottkyho SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220AB
Maximální stejnosměrný propustný proud
11.8A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1200V
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Schottkyho dioda
Typ diody
Schottkyho SiC
Pinanzahl
2 + Tab
Maximální pokles propustného napětí
2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
SiC Schottky
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
37A
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Myslitelné! Silikonová karbide (SiC) Schottky Dioda, Infineon
Společnost Infineon ThinQ!™ Generation 5 nabízí novou tenkou technologii pro bariérové diody SiC Schottky, která zlepšují tepelné vlastnosti. Diody SiC Schottkyho nabízejí výhodné vlastnosti polovodičových součástek s vysokým napětím, jako je například vyšší odolnost pole proti rušení a lepší tepelná vodivost umožňující vyšší úroveň účinnosti. Tato nejnovější generace je vhodná pro použití v aplikacích Telecom SMPS a high-end Servery, systémy UPS, motorové pohony, Solar Inverters a PC Silverbox a Lighting.
Snížený EMI
Diodes and Rectifiers, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 3,25
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 3,25
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,25 | € 6,50 |
| 20 - 48 | € 2,82 | € 5,64 |
| 50 - 98 | € 2,63 | € 5,26 |
| 100 - 198 | € 2,47 | € 4,94 |
| 200+ | € 2,27 | € 4,54 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220AB
Maximální stejnosměrný propustný proud
11.8A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1200V
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Schottkyho dioda
Typ diody
Schottkyho SiC
Pinanzahl
2 + Tab
Maximální pokles propustného napětí
2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
SiC Schottky
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
37A
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Myslitelné! Silikonová karbide (SiC) Schottky Dioda, Infineon
Společnost Infineon ThinQ!™ Generation 5 nabízí novou tenkou technologii pro bariérové diody SiC Schottky, která zlepšují tepelné vlastnosti. Diody SiC Schottkyho nabízejí výhodné vlastnosti polovodičových součástek s vysokým napětím, jako je například vyšší odolnost pole proti rušení a lepší tepelná vodivost umožňující vyšší úroveň účinnosti. Tato nejnovější generace je vhodná pro použití v aplikacích Telecom SMPS a high-end Servery, systémy UPS, motorové pohony, Solar Inverters a PC Silverbox a Lighting.
Snížený EMI
Diodes and Rectifiers, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products