Dioda IDH20G120C5XKSA1 56A 1200V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 + Tab 2.6V Schottkyho SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220AB
Maximální stejnosměrný propustný proud
56A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1200V
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Schottkyho dioda
Typ diody
Schottkyho SiC
Pinanzahl
2 + Tab
Maximální pokles propustného napětí
2.6V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
SiC Schottky
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
198A
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Myslitelné! Silikonová karbide (SiC) Schottky Dioda, Infineon
Společnost Infineon ThinQ!™ Generation 5 nabízí novou tenkou technologii pro bariérové diody SiC Schottky, která zlepšují tepelné vlastnosti. Diody SiC Schottkyho nabízejí výhodné vlastnosti polovodičových součástek s vysokým napětím, jako je například vyšší odolnost pole proti rušení a lepší tepelná vodivost umožňující vyšší úroveň účinnosti. Tato nejnovější generace je vhodná pro použití v aplikacích Telecom SMPS a high-end Servery, systémy UPS, motorové pohony, Solar Inverters a PC Silverbox a Lighting.
Snížený EMI
Diodes and Rectifiers, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 5,78
Each (In a Tube of 500) (bez DPH)
500
€ 5,78
Each (In a Tube of 500) (bez DPH)
500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220AB
Maximální stejnosměrný propustný proud
56A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1200V
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Schottkyho dioda
Typ diody
Schottkyho SiC
Pinanzahl
2 + Tab
Maximální pokles propustného napětí
2.6V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
SiC Schottky
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
198A
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Myslitelné! Silikonová karbide (SiC) Schottky Dioda, Infineon
Společnost Infineon ThinQ!™ Generation 5 nabízí novou tenkou technologii pro bariérové diody SiC Schottky, která zlepšují tepelné vlastnosti. Diody SiC Schottkyho nabízejí výhodné vlastnosti polovodičových součástek s vysokým napětím, jako je například vyšší odolnost pole proti rušení a lepší tepelná vodivost umožňující vyšší úroveň účinnosti. Tato nejnovější generace je vhodná pro použití v aplikacích Telecom SMPS a high-end Servery, systémy UPS, motorové pohony, Solar Inverters a PC Silverbox a Lighting.
Snížený EMI
Diodes and Rectifiers, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products