IGBT IGW15T120FKSA1 N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 914-0211PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IGW15T120FKSA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

30 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

110 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Kapacitance hradla

1100pF

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Jmenovitá energie

4.1mJ

Podrobnosti o výrobku

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600

Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 84,00

€ 4,20 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

IGBT IGW15T120FKSA1 N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Vyberte typ balenia

€ 84,00

€ 4,20 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

IGBT IGW15T120FKSA1 N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaTuba
20 - 36€ 4,20€ 16,80
40 - 96€ 4,022€ 16,09
100 - 196€ 3,755€ 15,02
200+€ 3,535€ 14,14

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

30 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

110 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Kapacitance hradla

1100pF

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Jmenovitá energie

4.1mJ

Podrobnosti o výrobku

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600

Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more