IGBT IKP15N60TXKSA1 N-kanálový 26 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
26 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
130 W
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
0.81mJ
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
860pF
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,60
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 1,60
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,60 | € 16,00 |
| 50 - 90 | € 1,52 | € 15,20 |
| 100 - 240 | € 1,45 | € 14,50 |
| 250 - 490 | € 1,39 | € 13,90 |
| 500+ | € 1,29 | € 12,90 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
26 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
130 W
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
0.81mJ
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
860pF
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products