Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
50 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Kapacitance hradla
1860pF
Maximální pracovní teplota
150 °C
Jmenovitá energie
7mJ
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600
Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
Velmi nízký VCEsat
Nízké ztráty při vypnutí
Krátký proud zadních výklopných dveří
Nízká EMI
Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,73
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 4,73
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 120 | € 4,73 | € 141,90 |
150 - 270 | € 4,11 | € 123,30 |
300+ | € 3,91 | € 117,30 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
50 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Kapacitance hradla
1860pF
Maximální pracovní teplota
150 °C
Jmenovitá energie
7mJ
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600
Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
Velmi nízký VCEsat
Nízké ztráty při vypnutí
Krátký proud zadních výklopných dveří
Nízká EMI
Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.