Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
80 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20 V, ±30V
Počet tranzistorů
1
Maximální ztrátový výkon
395 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
30kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Jmenovitá energie
3.35mJ
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
4500pF
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
Velmi nízký VCEsat
Nízké ztráty při vypnutí
Krátký proud zadních výklopných dveří
Nízká EMI
Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 5,94
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 5,94
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 10 | € 5,94 | € 59,40 |
20 - 40 | € 5,64 | € 56,40 |
50 - 90 | € 5,40 | € 54,00 |
100 - 190 | € 5,05 | € 50,50 |
200+ | € 4,75 | € 47,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
80 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20 V, ±30V
Počet tranzistorů
1
Maximální ztrátový výkon
395 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
30kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Jmenovitá energie
3.35mJ
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
4500pF
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
Velmi nízký VCEsat
Nízké ztráty při vypnutí
Krátký proud zadních výklopných dveří
Nízká EMI
Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.