řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1MOSFET IMT65R083M1HXUMA1 N-kanálový 32 A 650 V, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 SiC

Skladové číslo RS: 284-730Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IMT65R083M1HXUMA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

32 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

650 V

Řada

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Režim kanálu

Vylepšení

Počet prvků na čip

1

Materiál tranzistoru

SiC

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 12 040,25

€ 6,02 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)

řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1MOSFET IMT65R083M1HXUMA1 N-kanálový 32 A 650 V, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 SiC

2000

Dostupné v násobkoch 2000
2000€ 12 040,25
4000€ 24 080,50
6000€ 36 120,75
8000€ 48 161,00
10000€ 60 201,25
12000€ 72 241,50
14000€ 84 281,75
16000€ 96 322,00
18000€ 108 362,25
20000€ 120 402,50
22000€ 132 442,75
24000€ 144 483,00
26000€ 156 523,25
28000€ 168 563,50
30000€ 180 603,75

€ 12 040,25

€ 6,02 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)

řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1MOSFET IMT65R083M1HXUMA1 N-kanálový 32 A 650 V, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 SiC

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

2000

Dostupné v násobkoch 2000
2000€ 12 040,25
4000€ 24 080,50
6000€ 36 120,75
8000€ 48 161,00
10000€ 60 201,25
12000€ 72 241,50
14000€ 84 281,75
16000€ 96 322,00
18000€ 108 362,25
20000€ 120 402,50
22000€ 132 442,75
24000€ 144 483,00
26000€ 156 523,25
28000€ 168 563,50
30000€ 180 603,75

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

32 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

650 V

Řada

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Režim kanálu

Vylepšení

Počet prvků na čip

1

Materiál tranzistoru

SiC

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more