řada: CoolSiCMOSFET IMW65R107M1HXKSA1 N-kanálový 20 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Silikon
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
CoolSiC
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.142 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.7V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Silicon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 182,58
€ 6,086 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 182,58
€ 6,086 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 6,086 | € 182,58 |
| 60 - 120 | € 5,782 | € 173,45 |
| 150+ | € 5,538 | € 166,15 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
CoolSiC
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.142 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.7V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Silicon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products