řada: CoolMOS CPMOSFET IPA50R140CPXKSA1 N-kanálový 23 A 550 V, TO-220 FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
23 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
550 V
Gehäusegröße
TO-220 FP
Řada
CoolMOS CP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
34 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.65mm
Breite
4.85mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Höhe
9.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™ CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,94
€ 4,94 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 4,94
€ 4,94 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 4,94 |
10 - 24 | € 4,15 |
25 - 49 | € 3,85 |
50 - 99 | € 3,61 |
100+ | € 3,31 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
23 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
550 V
Gehäusegröße
TO-220 FP
Řada
CoolMOS CP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
34 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.65mm
Breite
4.85mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Höhe
9.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™ CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.