Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
24 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Länge
10.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Breite
4.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
16.15mm
Řada
CoolMOS P7
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™P7
Řada výkonových MOSFET 800 V CoolMOS P7 přináší ještě vyšší efektivitu a tepelný výkon. Vhodné aplikace jsou napájecí adaptéry, osvětlení LED, audio, průmyslové a pomocné napájení.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
24 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Länge
10.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Breite
4.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
16.15mm
Řada
CoolMOS P7
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™P7
Řada výkonových MOSFET 800 V CoolMOS P7 přináší ještě vyšší efektivitu a tepelný výkon. Vhodné aplikace jsou napájecí adaptéry, osvětlení LED, audio, průmyslové a pomocné napájení.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.