řada: OptiMOS™ 5MOSFET IPB010N06NATMA1 N-kanálový 180 A 60 V, D2PAK-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
180 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
OptiMOS™ 5
Gehäusegröße
D2PAK-7
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
208 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
9.45mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
4.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 11,10
€ 5,55 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 11,10
€ 5,55 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 5,55 | € 11,10 |
| 20 - 98 | € 4,735 | € 9,47 |
| 100 - 198 | € 4,10 | € 8,20 |
| 200 - 498 | € 3,885 | € 7,77 |
| 500+ | € 3,47 | € 6,94 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
180 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
OptiMOS™ 5
Gehäusegröße
D2PAK-7
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
208 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
9.45mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
4.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products